طراحی یک تقویت کننده کم نویز در تکنولوژی 0.18µm cmos جهت گیرنده های بی سیم در باند فرکانسی 3.1-10.6ghz با هدف کم کردن توان مصرفی

سیستم های فراپهن باند با قابلیت انتقال داده با سرعت بالاتر و مصرف توان کمتر، توجه زیادی را به خود جلب نموده اند. تقویت کننده کم نویز یک بلوک حساس در گیرنده های فراپهن باند می باشد که باید مشخصات دقیق زیادی را نظیر امپدانس ورودی پهن باند، بهره کافی، عدد نویز پایین، مصرف توان کم و مساحت تراشه کوچک فراهم آورد. برای تقویت کننده کم نویز مسئله تأمین بهره کافی و ایجاد نویز کم اهمیت ویژه ای می یابد، چون اولین جزء فعال در زنجیره گیرنده است. ساختارهای مختلفی برای تحقق lna فراپهن باند ارائه شده که اگرچه برای بعضی کاربردها به طور موفقیت آمیزی پیاده سازی شده اند، وقتی کار به طراحی lna های مجتمع می رسد، مشکلات عدیده ای حل نشده باقی می مانند. برای مثال مصرف توان بالای بسیاری از این ساختارها یک مشکل عمده است که به واسطه افزایش ترانزیستورهای موجود در یک چیپ بوجود می آید. در این پایان نامه ابتدا با بهره گیری از روش تنظیم متناوب ساختاری ارائه شده که با وجود شرایط بهتر نسبت به سایر ساختارهای مشابه همچنان از مشکل افت بهره در باند میانی رنج می برد. سپس با استفاده از یک روش ابتکاری و جدید در طراحی تقویت کننده کم نویز، به نام تکنیک هماهنگ-سازی سه گانه، ساختاری طراحی و ارائه شده است که در عین حال که تمام نیازهای تکنولوژی فراپهن باند و فرکانس رادیویی را تأمین می نماید، بهره ای بالا و بسیار هموار در سراسر گستره فراپهن باند فراهم نموده و همان طور که از تقویت کننده کم نویز انتظار می رود نویز بسیار کمی ایجاد کرده و در میان تمام ساختارهای پیشین کمترین مصرف توان را به خود اختصاص داده است. تقویت کننده ارائه شده در سراسر باند مورد نظر پایدار بوده و بسیار خطی است. تکنولوژی به کار رفته در این ساختار tsmc 0.18 µm cmos می باشد و کلیه شبیه سازی ها با نرم افزار تخصصیadvanced design system 2009 صورت گرفته و ارائه شده است.